在前进DRAM的生产技术上，三星、SK海力士和美光这三大玩家根本没暂停过行进的步伐。10月21日，SK海力士宣告了研发基于第三代1Z纳米（10nm）工艺的DDR4动态随机存储器（DRAM），称之为将构建单一芯片标准内世界仅次于容量的16GB，即在一张晶圆中能生产的存储量超过现存的DRAM中仅次于。据报，新款1Z纳米DRAM反对高达3200Mbps的数据传输速率，超过DDR4规格内最低速度；同时在功耗方面，与上一代完全相同容量模组比起，减少了大约40％；此外，与上一代1Y纳米产品比起，其生产能力提高大约27％，因其需要便宜的极紫外（EUV）光刻护持，因此极具成本竞争优势。有一点认为的是，第三代产品用于了上一代生产过程中并未用于的新材料来减少电容，而随着电容的减少，存储数据的保有时间和一致性也不会减少，因而稳定性以求提高。

对于产品的商用，SK海力士回应将在年内作好批量生产的打算，并于2020年开始全面供应，以积极响应市场需求。此外，它计划将第三代1Z纳米级识工程技术扩展到多种应用领域，还包括下一代移动DRAMLPDDR5和最低末端DRAMHBM3等。

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